TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷近日表示，由于HBM的銷售單價較傳統(tǒng)DRAM(Dynamic Random-Access Memory)高出數(shù)倍，加之AI芯片產(chǎn)品的快速迭代推動了HBM單機搭載容量的擴大，預(yù)計在2023至2025年間，HBM在DRAM的產(chǎn)能和產(chǎn)值中的占比將實現(xiàn)大幅增長。

在產(chǎn)能方面，吳雅婷預(yù)計2023年和2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能的比例將分別達到2%和5%，而到了2025年，這一比例預(yù)計將超過10%。產(chǎn)值方面，從2024年開始，HBM在DRAM總產(chǎn)值中的占比預(yù)計將超過20%，到2025年，這一比例有可能超過30%。

此外，吳雅婷還指出，2024年HBM的需求量比特年成長率將接近200%，而到了2025年，這一增長率有望再次翻倍。針對2025年的HBM，供應(yīng)商已在2023年第二季開始議價，由于DRAM總產(chǎn)能有限，為避免產(chǎn)能排擠效應(yīng)，供應(yīng)商已初步將價格調(diào)漲5%至10%，涉及的產(chǎn)品包括HBM2e、HBM3和HBM3e。議價時間的提前主要有三大原因。首先，HBM買方對AI的需求展望保持高度信心，愿意接受價格的持續(xù)上漲。其次，HBM3e的TSV良率目前僅在40%至60%之間，尚需進一步提升，而且并非所有主要供應(yīng)商都已通過客戶的HBM3e驗證，因此買方也愿意接受價格上漲以確保質(zhì)量穩(wěn)定的貨源。第三，未來HBM每Gb的單價可能會因供應(yīng)商的可靠性和供應(yīng)能力而產(chǎn)生差異，這將導(dǎo)致供應(yīng)商未來平均銷售單價出現(xiàn)差異，并進一步影響其盈利。

展望2025年，從主要AI解決方案供應(yīng)商的角度來看，HBM規(guī)格的需求將大幅轉(zhuǎn)向HBM3e，同時預(yù)計將有更多12hi的產(chǎn)品推出，這將推動單芯片搭載HBM的容量進一步提升。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2024年HBM的需求量年成長率接近200%，而到了2025年，這一增長率有望再次翻倍，顯示出HBM技術(shù)在AI和高性能計算領(lǐng)域的強勁發(fā)展勢頭。

本文源自:金融界

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