如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~

SK hynix 表示對其高帶寬內存制造技術充滿信心。該公司強調，其專有的HBM比競爭對手的產品要強大得多，這將使其在下一代半導體封裝領域保持領先地位。

SK hynix聲稱，該公司采用獨特的大規?；亓?模塑底部填充技術制造的HBM比采用熱壓-非導電薄膜(TC-NCF)制造的產品堅固60%。

SK hynix用鋒利的工具刺穿安裝了 HBM 的 DRAM 頂部以產生劃痕的方法進行了測試，結果發現其芯片的劃痕少于使用 TC-NCF 生產的芯片。這一結果表明，在涉及 HBM 和計算單元組合的異構集成封裝過程中，HBM 可以承受外部物理沖擊而不影響良品率。

業界認為，SK hynix 的這篇論文是在強調其 HBM 制造技術優于三星電子和美光科技等競爭對手。SK hynix是英偉達等主要人工智能半導體公司的HBM領先供應商，并與臺積電合作走在先進半導體封裝的前沿，預計這些成果將吸引其主要客戶。

SK hynix 還在 ECTC 上展示了其下一代封裝技術 “垂直扇出”的開發狀況。這種技術是在沒有半導體基板的計算單元頂部垂直堆疊四個 LPDDR 存儲器，稱為扇出晶圓級封裝(FOWLP)。

點這里加關注，鎖定更多原創內容

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第3792期內容，歡迎關注。

『半導體第一垂直媒體』

實時 專業 原創 深度

公眾號ID:icbank

喜歡我們的內容就點“在看”分享給小伙伴哦

免責聲明：該文章系本站轉載，旨在為讀者提供更多信息資訊。所涉內容不構成投資、消費建議，僅供讀者參考。