潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。

距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以GaN、SiC為代表的第三代半導體發展備受關注:Yole數據顯示，2026年GaN市場規模預計可達6.72億美元。SiC碳化硅2027年全球SiC功率半導體市場規模有望突破60億美元。

預測是人算不如天算，第三代半導體優勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。

01

碳化硅與新能源車能不能齊飛？

新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的*特點和“顧慮”就是充電。車企自建超充樁引領行業進入快充時代，大功率充電樁占比逐步提升。

量有多大呢？2023年中國新能源汽車產銷分別完成958.7萬輛和949.5萬輛，同比分別增長35.8%和37.9%，而據預測2024年新能源汽車產銷將達到1150萬輛車左右的規模，增長約20%。

這個數字占到汽車市場的三分之一。

碳化硅的應用就是在直流充電樁上。電動汽車消費者最關注的問題就是續航里程與充電時間，基于此，提高充電樁的充電速度迫在眉睫。

根據華為測算，要實現5min以內快充，充電樁功率須向480kw演進。為適應未來大功率高壓快充發展趨勢，主流車企及充電運營商已經開始布局大功率快充樁。如:國網快充樁招標中，80kw充電樁占比已從2020年的63%下降至2022年的37%，而160kw和240kw分別從35%和1%上升至57%和4%，并已開始布局480kW的大功率快充樁，此外廣汽埃安的A480超級充電樁*充電功率亦是達到480kW。

碳化硅是可以解決這個問題的。在高壓快充的趨勢下，碳化硅器件的運用能有效解決充電樁設備目前亟需采用更耐高壓、耐高溫、安全的新型器件的痛點，降本增效實現電動車快速充電。從效率角度來看，SiC MOSFET和二極管產品依賴其耐高壓、耐高溫、開關頻率快的特性，可以很好地用于充電樁模塊。與傳統硅基器件相比，碳化硅模塊可以增加充電樁近30%的輸出功率，并且減少損耗高達50%左右。同時，碳化硅器件的抗輻射特性還能夠增強充電樁的穩定性。從成本角度來看:碳化硅的優秀特性能夠有效提高單位功率密度，減小模塊體積并簡化電路設計，對降低充電樁產品成本起到至關重要的作用。

我國新能源上險乘用車中碳化硅應用逐步向25萬以下車型滲透，除特斯拉外碳化硅車型以比亞迪、吉利、蔚來、小鵬為主,據NE時代數據，新增智己、問界M9、理想等車型;比亞迪車型包括漢、唐EV、海豹、仰望U8、騰勢D9、騰勢N8、騰勢N7的800V架構為主，大部分為雙電機電控車型;吉利車型與價位段分布較廣，車型包括極氪001/X/007、極星2、沃爾沃XC40/C40、smart精靈#1#3、路特斯ELETRE等;蔚來大部分車型使用碳化硅，目前主要為400V平臺;小鵬G6G9X9車型使用碳化硅。

飛锃半導體副總監袁建在做碳化硅市場分析時提到，800V平臺市場滲透率將穩步提升，預計在2025年占比達到13%，這將進一步增加碳化硅的應用規模;當前OBC市場以6.6KW為主，預計到2025年6.6KW仍然占比在57.2%;11KWOBC市場占比將逐年提升，市場古比將從9%增加到18%。2027年全球市場預計將超過60億美元，其中下游汽車應用占比將超過75%。全球碳化硅廠商行業集中度較高，前五大廠商占有70%的市場份額。國內碳化硅產業崛起，上游襯底行業競爭優勢相對明顯。

另外，在光伏儲能市場方面，功率密度需求提升，MPPT開關管有由IGBT切換成SiC的機會。儲能系統有雙向功率變換需求，SiC機會增加。逆變側混合模塊占比逐步提升。新能源汽車市場方面，800V平臺市場滲透率將穩步提升，預計在2025年占比達到13%，這將進一步增加碳化硅的應用規模；當前OBC市場以6.6KW為主，預計到2025年6.6KW仍然占比在57.2%；11KW OBC市場占比將逐年提升，市場占比將從9%增加到18%；新能源汽車市場是碳化硅應用的主要增量市場，預計占比在75%以上，并在未來進一步提升。報告分享了飛锃半導體碳化硅MOSFET產品方案，以及第三代750V/55mohm碳化硅MOSFET、第三代1200V/40mohm碳化硅MOSFET，以及Gen4 1200V單芯大電流碳化硅二極管、Gen3+ 1200V 20/30A碳化硅二極管等。

新能源車能飛，那碳化硅也行。

02

真正帶飛的，還得是領頭雁

意法半導體是全球知名的IDM模擬芯片廠商，一直在積極推進碳化硅業務。中國是碳化硅的主要市場，并且與三安光電展開合作推動碳化硅業務，并將擴大SiC器件制造能力。6月4日，意法半導體官方宣布，公司與吉利汽車集團雙方簽署碳化硅器件長期供應協議，在原有合作基礎上進一步加速碳化硅器件的合作。按照協議規定，意法半導體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速度，延長續航里程，深化新能源汽車轉型。

吉利汽車集團電驅逆變器已采用意法半導體第三代SiC MOSFET器件。電驅逆變器是電驅系統的核心,而碳化硅MOSFET可以全面提高電驅逆變器的能效。將先進的逆變器設計與SiC等高效功率半導體相結合，實現電動汽車*性能。

同時，意法半導體具備先進的SiC生產技術和完全垂直整合的供應鏈。在汽車領域，意法半導體SiC產品廣泛應用于牽引逆變器、車載充電器機、直流-直流變換器(DC-DC)、充電樁及電動壓縮機應用，可以極大提高新能源汽車的性能、能效和續航里程。。同時，意法半導體正在與更多中國知名汽車制造商、工業客戶和解決方案供應商在SiC領域展開合作，攜手加速中國電氣化產業進程。

英飛凌科技中國有限公司技術總監郝欣說“英飛凌的SiC MOSFET技術創新，加速應用領域變革”。英飛凌在2017年正式推出了*代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽柵的設計解決了SiC MOSFET中柵極氧化物的可靠性問題，并克服了常見的SiC MOSFET在控制和驅動方面的限制，這加速了SiC MOSFET上車的節奏。

在第二代產品上，英飛凌則在保持*代產品高可靠性的同時，確保性價比的提升。同時在G2產品上增加了新的魯棒性功能，*程度提高對于SiC功率系統的投資利用率。根據英飛凌提供的產品組合，目前基于G2已經推出工業級的650V、1200V分立SiC MOSFET產品，以及車規級750V、1200V的功率模塊產品。另外基于G2的400V的工業級分立SiC MOSFET、650V和1200V的車規級功率模塊也即將推出。

還英飛凌完成收購 GaN Systems 公司，未來在氮化鎵、碳化硅等領域將有更多發展。英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統公司，并號稱“成為*的氮化鎵龍頭企業”。

目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術專家和超過 350 個氮化鎵技術專利族。英飛凌表示，公司和 GaN Systems 在知識產權、對應用的深刻理解以及成熟的客戶項目規劃方面優勢互補，這為英飛凌滿足各種快速增長的應用需求創造了極為有利的條件。

安世半導體SiC產品市場戰略副總監王駿躍也說中國SiC器件市場增長快速，市場機會在中國。對于碳化硅分立器件市場而言，對性能、可靠性，價格、供應鏈都有相應的需求。

03

打打更健康

目前，相對于碳化硅，氮化鎵的應用好像更少一些。但如今借由快充進入大眾視野的氮化鎵，也再跟碳化硅“宣戰”。

在技術升級的推動下，GaN已經超越了僅適用于快充等消費電子市場的限制，在汽車、數據中心、高速發展的熱門領域持續取得突破。

與傳統 Si 材料相比，基于 GaN 材料制備的功率器件擁有更高的功率密度輸出，以及更高的能量轉換效率，并可以使系統小型化、輕量化，有效降低電力電子裝置的體積和重量，從而極大降低系統制作及生產成本。

對于射頻和開關電源設備而言，顯然SiC和GaN兩種材料的性能都優于單質硅的，他們的高臨界場允許這些器件能在更高的電壓和更低的漏電流中操作。高電子遷移率和電子飽和速度允許更高的工作頻率。然而SiC電子遷移率高于Si，GaN的電子遷移率又高于SiC，這意味著氮化鎵應該最終成為極高頻率的*設備材料。

另外，高導熱系數意味著材料在更有效地傳導熱量方面占優勢。SiC比GaN和Si具有更高的熱導率，意味著SiC器件比GaN或Si從理論上可以在更高的功率密度下操作。當高功率是一個關鍵的理想設備特點時，高導熱系數結合寬帶隙、高臨界場的SiC半導體具有一定優勢。GaN相對較差的導熱性，使系統設計人員處理氮化鎵器件的熱量管理面臨一個挑戰。

第三代半導體之間的競爭和互補，步伐不停讓舞臺更靠近。

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